[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法在审
| 申请号： | 202110636811.0 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380623A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 宋亮;郝荣晖;付凯;于国浩;张晓东;范亚明;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 杨金娟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且异质结构中形成有二维电子气；在第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 钝化 实现 增强 hemt 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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