[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法

权利要求书

1.一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其特征在于，由以下步骤组成：

(1)在外延生长设备的反应室中对衬底表面进行处理；

(2)在衬底上外延生长AlGaN/GaN外延层及p-GaN，其中GaN的厚度为1μm-3μm；AlGaN的厚度为14nm-30nm，其中Al元素的摩尔含量为20％-30％，p-GaN的厚度为5-100nm，Mg掺杂浓度为10¹⁶量级，从腔室取出以后利用有机溶液进行清洗并用高纯氮气进行吹洗；

(3)对清洗干净的样品进行光刻显影，光刻胶采用AZ5214，曝光时间为6.5s，显影时间为50s-60s，进行台面隔离，可以采用离子注入或等离子体刻蚀；

(4)通过光刻，对源漏区域进行刻蚀，刻掉p型掺杂层，之后放入电子束沉积台沉积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au并进行剥离清洗，之后对样品进行890℃30s退火形成欧姆接触，分别为源极和漏极；

所述Ti/Al/Ni/Au中Ti层、Al层、Ni层和Au层的厚度分别为20nm、130nm、50nm和150nm；

(5)进行清洗、光刻形成栅极区，同样利用电子束沉积Ni/Au进行剥离，在氮气气氛下400℃，10min退火形成肖特基接触，完成栅极的制作；所述Ni/Au中Ni层和Au层的厚度分别为50nm和250nm；

(6)利用栅极作为离子注入的掩膜，使用离子注入机，进行H离子注入，其中H离子注入能量以不进入到二维电子气沟道区为准，使H能与p型掺杂层注入区域内的Mg有效结合，使之失去p型特性，完成器件的制作。

2.一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在反应室中对衬底表面进行处理；

(2)在衬底上外延生长AlGaN/GaN外延层及p-GaN，其中GaN的厚度为1μm-3μm，AlGaN的厚度为14nm-30nm，其中Al元素的摩尔含量为20％-30％，p-GaN的厚度为5-100nm，Mg掺杂浓度为10¹⁶量级，从腔室取出以后利用有机溶液进行清洗并用高纯氮气进行吹洗；

(3)对清洗干净的样品进行光刻显影，光刻胶采用AZ5214，曝光时间为6.5s，显影时间为50s-60s，利用光刻胶做掩膜，使用离子注入机进行H离子注入，使H能与P型掺杂层注入区域内的Mg有效结合，使之失去p型特性。

(4)通过光刻，对源漏区域进行刻蚀，刻掉p型掺杂层，之后放入电子束沉积台沉积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au(20nm/130/nm/50nm/150nm)并进行剥离清洗，之后对样品进行890℃30s退火形成欧姆接触，分别为源极和漏极；

(5)进行清洗、光刻，之后进行台面隔离，可以采用离子注入或等离子体刻蚀；

(6)进行清洗、光刻形成栅极区7，同样利用电子束沉积Ni/Au(50/250nm)进行剥离，在氮气气氛下400℃10min退火形成肖特基接触，完成栅极的制作，同时完成器件的制作。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等离子注入的方式还包括ICP等离子体处理。