[发明专利]一种具有超结双沟道栅的高压MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110633958.4 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113488523A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 袁嵩;詹欣斌;何艳静;江希;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超结双沟道栅的高压MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底区；N‑外延区，设置于N+衬底区上；P型基区，设置于N‑外延区内；有源区，设置在P型基区上；沟槽栅结构，设置于N‑外延区内，且与P型基区和有源区中的N+注入区相邻；金属层，设置于有源区上方，且与沟槽栅结构通过绝缘层隔开，以作为器件的源极；其中，N‑外延区内设有多个P型列；P型列起始于P型基区下表面，并向N‑外延区内延伸，同时在N‑外延区内形成N型列，且P型列的宽度小于基区的宽度。本发明提供的MOSFET器件平衡了低导通电阻和高击穿电压之间的关系，实现了优良的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超结双 沟道 高压 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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