[发明专利]集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110624444.2 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN115440705A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 贾鹏飞;芮强;李巍 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法，集成采样结构的垂直型半导体结构包括：垂直型半导体结构原胞、采样原胞、控制电极、第一电极、第二电极及采样电极。根据本发明的实施例，一则，采样电极可对第一电极与第二电极之间的电压差进行实时采样；采样原胞的第一/二P型扩散区与第二N型基区之间都形成PN结，该PN结形成了阻挡采样电极端电子发射的势垒，因而，将采样电极的电压信号输入到保护电路，保护电路在同时判断垂直型半导体结构原胞处于打开状态时，可安全快速检测垂直型半导体结构是否处于退饱和状态。二则，在采样电极与第一电极之间串联采样电阻，采样电极正电压会增大该势垒高度，可保证采样原胞稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 采样 结构 垂直 半导体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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