[发明专利]集成采样结构的垂直型半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，包括：

垂直型半导体结构原胞，包括：第一N型基区、伸入所述第一N型基区内的P型阱区、自所述P型阱区伸入所述第一N型基区的控制区、位于所述P型阱区上部的P型欧姆接触区与N型源区，所述N型源区位于所述P型欧姆接触区的两侧，以及位于所述第一N型基区下方的第一N型缓冲层；

采样原胞，包括：第二N型基区、伸入所述第二N型基区内的第一P型扩散区与第二P型扩散区，所述第一P型扩散区与所述第二P型扩散区之间形成电子通道、位于所述电子通道上部的N型欧姆接触区，以及位于第二N型基区下方的第二N型缓冲层；

控制电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的控制区；

第一电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的P型欧姆接触区与N型源区，以及所述采样原胞的第一P型扩散区与第二P型扩散区；

第二电极，连接于所述垂直型半导体结构原胞的第一N型缓冲层与所述采样原胞的第二N型缓冲层；

采样电极，连接于所述采样原胞的N型欧姆接触区。

2.根据权利要求1所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述垂直型半导体结构为IGBT，所述第一电极为发射极；所述IGBT原胞还包括：位于所述第一N型缓冲层下方的第一P型集电区，所述采样原胞还包括：位于所述第二N型缓冲层下方的第二P型集电区；所述第二电极为集电极，连接于所述IGBT半导体结构原胞的第一P型集电区与所述采样原胞的第二P型集电区。

3.根据权利要求1所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述垂直型半导体结构为VDMOS，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极。

4.根据权利要求1所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，还包括：采样电阻，连接于所述采样电极与所述第一电极之间。

5.根据权利要求1所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述垂直型半导体结构原胞具有并联的多个，所述采样原胞具有并联的多个。

6.根据权利要求1至5任一项所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述第二N型基区内具有第一扩散阻挡区与第二扩散阻挡区，所述第一扩散阻挡区与所述第二扩散阻挡区分别邻接所述电子通道；所述第一P型扩散区位于所述第一扩散阻挡区远离所述电子通道的一侧，所述第二P型扩散区位于所述第二扩散阻挡区远离所述电子通道的一侧。

7.根据权利要求6所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述第一扩散阻挡区与所述第二扩散阻挡区包括：导电材料区与位于所述导电材料区的侧壁的绝缘材料层。

8.根据权利要求7所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述导电材料区与所述第一电极电连接。

9.根据权利要求6所述的集成采样结构的垂直型半导体结构，其特征在于，所述第一扩散阻挡区与所述第二扩散阻挡区包括：绝缘材料区与位于所述绝缘材料区的侧壁的绝缘材料层。