[发明专利]高强度QFN封装结构有效
| 申请号： | 202110621536.5 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113451228B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙 | 申请（专利权）人： | 西安航思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市鄠*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高强度QFN封装结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能，也可满足大功率高发热芯片封装的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 qfn 封装 结构 | ||
【主权项】：
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