[发明专利]薄膜晶体管的制作方法和掩膜版有效
| 申请号： | 202110592673.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380701B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 韩自力;康报虹 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/66;G03F1/70;G03F1/44 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和掩膜版，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：利用具有多个预设尺寸参数的开口的测试掩膜版，在预设条件下制作多种不同的测试薄膜晶体管；测量每个测试薄膜晶体管中的尺寸信息，形成与预设尺寸参数和预设条件对应的实测尺寸参数；计算预设尺寸参数和实测尺寸参数的偏差值，统计所有预设尺寸参数、预设条件、实测尺寸参数以及偏差值形成偏差模型；根据偏差模型得到与需要制作的薄膜晶体管相匹配的偏差补正值；根据偏差补正值设计对应的掩膜版；使用根据偏差补正值补充设计的掩膜版制作薄膜晶体管。本申请通过利用偏差模型，能够制得形状规则且符合尺寸要求的薄膜晶体管，有利于提高稳定性和显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 掩膜版 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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