[发明专利]非易失性存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110591322.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380881B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;霍景永;熊文;吴小晗;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/792;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器，包括源电极、漏电极、以及从下而上依次堆叠设置的栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层和有源沟道层，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述有源沟道层的两侧且包覆部分所述有源沟道层；所述电荷俘获层包括若干N型氧化物半导体薄膜和若干P型氧化物半导体薄膜，所述N型氧化物半导体薄膜和所述P型氧化物半导体薄膜交替堆叠设置，使得不仅能同时实现电编程与擦除操作，以及具有良好的数据保持特性，而且有利于降低所述非易失性存储器的操作电压，提高电编程与擦除效率。本发明还提供了所述非易失性存储器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司，未经复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110591322.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
