[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110589033.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN114068685A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 金慧元;魏胄滢;尹成美;任桐贤;李相运;林兑旭;蔡教锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括凹部；栅极绝缘层，位于凹部的表面上；第一栅极图案，位于栅极绝缘层上，并且填充凹部的下部；第二栅极图案，在凹部中位于第一栅极图案上，并且包括具有与第一栅极图案的逸出功不同的逸出功的材料；盖绝缘图案，位于第二栅极图案上，并且填充凹部的上部；泄漏阻挡氧化物层，在凹部在第一栅极图案的上表面上方的上侧壁处位于栅极绝缘层上，并且接触盖绝缘图案的侧壁；以及杂质区，位于基底中并且与凹部的上侧壁相邻，每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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