[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括凹部；

栅极绝缘层，位于凹部的表面上；

第一栅极图案，位于栅极绝缘层上，第一栅极图案填充凹部的下部；

第二栅极图案，在凹部中位于第一栅极图案上，第二栅极图案包括具有与第一栅极图案的逸出功不同的逸出功的材料；

盖绝缘图案，位于第二栅极图案上，盖绝缘图案填充凹部的上部；

泄漏阻挡氧化物层，在凹部的上侧壁处位于栅极绝缘层上，凹部的上侧壁位于第一栅极图案的上表面上方，泄漏阻挡氧化物层接触盖绝缘图案的侧壁；以及

杂质区，位于基底中并且与凹部的上侧壁相邻，每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，泄漏阻挡氧化物层包括氧化硅或金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，泄漏阻挡氧化物层位于栅极绝缘层在第二栅极图案的上表面上方的表面上，并且还位于第二栅极图案的上表面上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

泄漏阻挡氧化物层的位于栅极绝缘层的所述表面上的第一部分具有第一厚度，并且

泄漏阻挡氧化物层的位于第二栅极图案的上表面上的第二部分具有比第一厚度大的第二厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，泄漏阻挡氧化物层仅位于栅极绝缘层的处于第一栅极图案的上表面上方的部分的表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

泄漏阻挡氧化物层包括第一泄漏阻挡氧化物层和第二泄漏阻挡氧化物层，

第一泄漏阻挡氧化物层位于栅极绝缘层的处于第一栅极图案的上表面上方的部分的表面上，并且

第二泄漏阻挡氧化物层位于第一泄漏阻挡氧化物层的处于第二栅极图案的上表面上方的部分的表面上，并且还位于第二栅极图案的上表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅极图案包括接触栅极绝缘层的阻挡金属图案和位于阻挡金属图案上的金属图案。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，金属图案包括钨。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二栅极图案的逸出功与杂质区的逸出功之间的差比第一栅极图案的逸出功与杂质区的逸出功之间的差小。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二栅极图案包括掺杂有杂质的多晶硅。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第一栅极图案与第二栅极图案之间的阻挡界面层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，阻挡界面层包括第一栅极图案中包括的金属材料的氮化物。

13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括凹部；

栅极绝缘层，位于凹部的表面上；

第一栅极图案，位于栅极绝缘层上，第一栅极图案填充凹部的下部；

第二栅极图案，在凹部中位于第一栅极图案上，第二栅极图案包括掺杂有杂质的多晶硅；

泄漏阻挡氧化物层，位于栅极绝缘层的处于第二栅极图案的上表面上方的部分上，并且还位于第二栅极图案的上表面上；

盖绝缘图案，位于泄漏阻挡氧化物层上，盖绝缘图案填充凹部的上部；以及

杂质区，在基底中与凹部的上侧壁相邻，每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，泄漏阻挡氧化物层包括氧化硅或金属氧化物。