[发明专利]一种氧化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110587221.3 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113471295A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 颜刚平;许高博;殷华湘;周娜;胡艳鹏;刘卫兵;高建峰;毕津顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物半导体器件，其包括绝缘衬底；绝缘衬底上相对设置由一源极及一漏极；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；所述纳米片堆栈部包括：多个金属氧化物半导体纳米片竖直堆叠形成纳米堆栈部，所述金属氧化物半导体纳米片两端分别嵌入所述源极、漏极；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部中多个金属氧化物半导体纳米片的周围。新型结构环栅型OS‑TFT(GAA OS‑TFT)设计可以显著提升器件的亚阈值特性、电流开关比与短沟道效应；利用多层纳米片和支撑结构相结合的设计可以显著提升器件的工作电流；器件的制备工艺与主流CMOS工艺兼容且工序简单；环栅器件结构设计，可以显著提升沟道载流子迁移率，提高器件电学性能，还能提高器件的可靠性与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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