[发明专利]一种具有保护环的半导体器件在审
| 申请号： | 202110571559.X | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113363144A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李花禄;袁晓丹 | 申请（专利权）人： | 源字节（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/324;H01L21/02;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人： | 牟炳彦 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有保护环的半导体器件。通过在形成半导体外延层之前先在所述半导体基底中第一保护环，然后再在半导体基底上外延生长一半导体外延层，进而在外延层中通过多次离子注入和多次热处理以形成第二保护环，且通过在第一保护环中形成第一金属阻挡层，且在第二保护环中形成第二金属阻挡层。且通过优化第一保护环和第二保护环的具体工艺参数，有效提高半导体器件的抗电磁波冲击能力，进而可以保护半导体器件不受损坏。且通过在所述第二环形沟槽中交替沉积金属材料和绝缘材料以形成金属/绝缘叠层，可以改善第二环形沟槽的填充效果，避免孔洞和孔隙的存在，进而防止其抗电磁波冲击的能力下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 保护环 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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