[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110550581.6 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114171525A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 沓掛弘之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11573;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够在衬底内高密度地配置多个有源区域的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备设置在衬底内的多个有源区域，第1、第2、第3、及第4有源区域分别包含中央部分、所述中央部分的第1方向上的第1部分、所述第1部分的相反侧的第2部分、所述中央部分的第2方向上的第3部分、及所述第3部分的相反侧的第4部分。进而，所述第1有源区域的所述第1部分的端部与所述第4有源区域的所述第4部分的侧部对向，所述第2有源区域的所述第2部分的端部与所述第3有源区域的所述第3部分的侧部对向，所述第3有源区域的所述第3部分的端部与所述第1有源区域的所述第1部分的侧部对向，所述第4有源区域的所述第4部分的端部与所述第2有源区域的所述第2部分的侧部对向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
