[发明专利]半导体装置结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110550490.2 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540245A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;徐志安;姚茜甯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板，具有基部及鳍状物位于基部之上；栅极堆叠，位于鳍状物的顶部之上；第一纳米结构，位于鳍状物之上，且通过栅极堆叠；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上，且通过栅极堆叠，栅极堆叠具有第一部分及第二部分，第一部分位于第一纳米结构及鳍状物之间，且第二部分位于第一纳米结构及第二纳米结构之间；应力源结构，位于鳍状物之上，且连接至第一纳米结构及第二纳米结构；第一内间隔物，位于第一部分及应力源结构之间；以及第二内间隔物，位于第二部分及应力源结构之间，第一内间隔物比第二内间隔物宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110550490.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
