[发明专利]一种碳化硅闸沟槽式功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110538835.2 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993013A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光;朱伟东 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅闸沟槽式功率半导体器件，其中，包括：基底和外延层；形成在外延层上表面的介电质层和铝金属层；形成在外延层本体外侧的闸极氧化层和闸极多晶硅层；依次形成在外延层本体内的P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区，P+掺杂区和N+掺杂区均位于P‑掺杂区内，N+掺杂区的横截面形成朝向外延层的上表面的折弯状，P+掺杂区包覆N+掺杂区平行于外延层上表面的部分区域；P+掺杂区铝金属层接触，N+掺杂区分别与闸极氧化层、铝金属层以及介电质层接触，P‑掺杂区与闸极氧化层接触。本发明还公开了一种碳化硅闸沟槽式功率半导体器件的制作方法。本发明提供的碳化硅闸沟槽式功率半导体器件能够增强器件的雪崩崩溃能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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