[发明专利]一种超晶格材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110515702.3 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113380909B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黄辉廉;黄珊珊;刘恒昌;刘雪珍;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超晶格材料、制备方法及应用，属于半导体技术领域。一种超晶格材料，包括：InAs/GaSb复合层，厚度为1μm～3μm，由数量相等的若干层GaSb层和InAs层依次交替设置形成；柔性衬底，设置于InAs/GaSb复合层的InAs层一侧表面，为电镀铜膜或聚酰亚胺膜中的至少一种。本发明提出的超晶格材料，通过合理的控制超晶格材料的厚度以及衬底的柔韧性，能够实现上述超晶格材料的柔性化，使其适用于更多场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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