[发明专利]一种超晶格材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110515702.3 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113380909B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黄辉廉;黄珊珊;刘恒昌;刘雪珍;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种超晶格材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在GaAs衬底表面，依次外延生长GaAs缓冲层、Ga1-xInxAs1-ySby/Al1-mInmAs1-nSbn超晶格缓冲层、GaSb中间层和AlSb牺牲层；
S2.使步骤S1所得部件，所述AlSb牺牲层一侧表面，依次交替外延生长所述GaSb层和InAs层；
S3.在步骤S2所得部件，所述InAs层一侧表面，设置柔性衬底；
S4.腐蚀所述AlSb牺牲层，即得所述超晶格材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述Ga1-xInxAs1-ySby/Al1-mInmAs1-nSbn超晶格缓冲层，由沿所述GaAs缓冲层开始，依次交替生长的Ga1-xInxAs1-ySby层和Al1-mInmAs1-nSbn层组成。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述Ga1-xInxAs1-ySby/Al1-mInmAs1-nSbn超晶格缓冲层，生长温度为500℃～620℃。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Ga1-xInxAs1-ySby层中，0≤x≤0.32，0≤y≤0.72。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Al1-mInmAs1-nSbn层中，0≤m≤0.32，0≤n≤0.72。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述GaSb中间层，厚度为200nm～1000nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述GaSb中间层，生长温度为550℃～640℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述GaSb层和InAs层，生长温度为550℃～640℃。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述GaSb层和InAs层，生长速率为
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