[发明专利]一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器

摘要

本发明提供了一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，属于光电探测技术领域，包括衬底，在所述衬底的上表面依次形成的半导体吸收层、介电层和金属上电极，在所述衬底的下表面依次形成的石墨烯插入层和金属下电极。本发明中石墨烯插入层促进了碳复合物的形成，将欧姆电极的退火温度降低至400℃，减小了在传统欧姆接触形成需在880℃下退火的限制，减小了高温退火对碳化硅外延层中杂质的激活作用，从而优化了探测器欧姆接触特性和漏电特性；同时基于石墨烯的费米能级可调性能，实现石墨烯/碳化硅高的界面内建电场，提高载流子分离输运，优化探测器的能量分辨率。