[发明专利]一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器

权利要求书

1.一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，包括衬底，在所述衬底的上表面依次形成的半导体吸收层、介电层和金属上电极，在所述衬底的下表面依次形成的石墨烯插入层和金属下电极。

2.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述石墨烯插入层的厚度为1-100nm。

3.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述半导体吸收层的材料为SiC、GaN、ZnO、金刚石中任意一种。

4.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述半导体吸收层的结构为PN结结构、PIN结结构或肖特基结构中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述介电层的材料为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述介电层的厚度为1-500nm。

7.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述金属下电极的材料为Ti、Al、Ni、Au中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述金属下电极的接触类型为欧姆接触。

9.根据权利要求1所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，所述石墨烯插入层的制备方法为碳化硅热分解法，或湿法转移CVD石墨烯法，或涂覆石墨烯溶液法；所述涂覆石墨烯溶液法为旋涂石墨烯溶液法，或滴涂石墨烯溶液法，或喷涂石墨烯溶液法。

10.根据权利要求9所述的石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器，其特征在于，碳化硅热分解法适用于所述半导体吸收层的材料为SiC的探测器。