[发明专利]碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 202110509862.7 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113410284A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈昭铭;张安平;刘鸣然;殷鸿杰;罗惠馨;袁朝城 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/872;H01L27/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 梁皓茹 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件，包括：衬底，为第一导电类型；漂移层，为第一导电类型，位于所述衬底的一侧；第一源极和两个栅极沟槽，位于所述漂移层远离所述衬底的表面，两个栅极沟槽分别位于所述第一源极的两侧，每个栅极沟槽靠近所述第一源极的一侧包围设置有第一屏蔽区；所述第一屏蔽区为第二导电类型，两个所述第一屏蔽区间隔设置。本发明在每个栅极沟槽靠近第一源极的一侧包围设置有第二导电类型第一屏蔽区，改变栅极氧化物的电场分布，从而屏蔽栅极氧化物高电场使碳化硅半导体器件获得较高的击穿电压。此外，集成体二极管来代替外部二极管来充当体二极管，提高器件集成度，使器件尺寸减小，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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