[发明专利]一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，由下至上依次包括衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、B(Al,Ga)N电子减速层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层。由于B(Al,Ga)N/AlGaN异质结相比AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN异质结拥有更大的导带偏移与价带偏移比，所以可以更有效地限制电子从n型区进入有源区的速率。其次，移除传统的p型掺杂电子阻挡层，可增加空穴注入有源区的效率，提高电子空穴在有源区的辐射复合效率。另外，B(Al,Ga)N电子减速层两端能够产生极化电荷，形成与电子迁移方向相同的极化电场，可减缓电子从n型区进入有源区的迁移速率，从而提高量子阱对电子的捕获效率，增加量子阱中的电子与空穴的辐射复合几率，提升UV‑LED的发光效率。