[发明专利]一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管在审
| 申请号： | 202110509342.6 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN112993102A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张雄;范艾杰;胡国华;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电子 减速 结构 紫外 发光二极管 | ||
1.一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底(101)、AlN成核层(102)、AlN缓冲层(103)、非掺杂AlGaN缓冲层(104)、n型AlGaN层(105)、B(Al,Ga)N电子减速层(106)、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区(107)、p型AlGaN层(108)和p型GaN欧姆接触层(109)，以及在n型AlGaN层(105)上设置的n型欧姆电极(110)和p型GaN欧姆接触层(109)上设置的p型欧姆电极(111)，其中0xy1。
2.根据权利要求1所述的一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，其特征在于，所述B(Al,Ga)N电子减速层(106)由非掺杂或n型掺杂的BAlN、BGaN或BAlGaN层的任何一种构成，并且其禁带宽度始终大于n型AlGaN层(105)的禁带宽度。
3.根据权利要求1所述的一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，其特征在于，所述AlN成核层(102)的厚度为5-50nm，AlN缓冲层(103)的厚度为50-5000nm，非掺杂AlGaN缓冲层(104)的厚度为50-5000nm，n型AlGaN层(105)的厚度为200-5000nm，B(Al,Ga)N电子减速层(106)的厚度为3-50nm，AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源区(107)中的AlxGa1-xN量子阱阱宽为1-10nm，AlyGa1-yN势垒厚度为3-30nm，重复周期数为1-50，p型AlGaN层(108)的厚度为20-300nm，p型GaN欧姆接触层(109)的厚度为5-100nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，其特征在于，所述B(Al,Ga)N电子减速层(106)为组分均匀的单一BAlN、BGaN或BAlGaN层，或为各元素组分渐变的BAlN、BGaN或BAlGaN层，或由各元素组分均匀或组分渐变的BAlN、BGaN或BAlGaN层组合而成的异质结所构成。
5.根据权利要求1所述的一种具有电子减速层结构的紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底(101)为可外延生长AlGaN基材料的蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓和氮化铝衬底中的一种。
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