[发明专利]用于半导体制造的光致抗蚀剂在审
| 申请号： | 202110506652.2 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113943314A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;李志鸿;杨棋铭;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00;C07F7/22;C07F9/94;C07F11/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 光致抗蚀剂 | ||
【主权项】：
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