[发明专利]用于半导体制造的光致抗蚀剂

权利要求书

1.一种有机金属前体，所述有机金属前体包含：

芳族二齿配体；

与所述芳族二齿配体配位的过渡金属；和

与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体，

其中所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。

2.根据权利要求1所述的有机金属前体，其中所述芳族二齿配体包含2,2’-联吡嗪。

3.根据权利要求1所述的有机金属前体，其中所述过渡金属具有高原子吸收截面。

4.根据权利要求1所述的有机金属前体，其中所述过渡金属选自锡(Sn)、铋(Bi)、锑(Sb)、铟(In)和碲(Te)。

5.根据权利要求1所述的有机金属前体，所述有机金属前体还包含：

聚(甲基丙烯酸2-羟乙酯)(pHEMA)、聚(4-羟基苯乙烯)(PHS)、聚缩水甘油醚或聚醚多元醇。

6.根据权利要求1所述的有机金属前体，其中所述EUV可裂解配体包含烯基或羧酸酯基。

7.根据权利要求1所述的有机金属前体，其中所述EUV可裂解配体包含氟取代基。

8.一种极紫外(EUV)光致抗蚀剂前体，所述前体包含：

芳族二齿配体，所述芳族二齿配体包含第一吡嗪环和第二吡嗪环；

与所述第一吡嗪环上的氮原子和所述第二吡嗪环上的氮原子配位的过渡金属；

与所述过渡金属配位的第一EUV可裂解配体；和

与所述过渡金属配位的第二EUV可裂解配体。

9.一种沉积光致抗蚀剂的方法，所述方法包括：

直接在材料层上沉积光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层包含前体，所述前体包含：

芳族二齿配体，所述芳族二齿配体包含第一吡嗪环和第二吡嗪环，所述第一吡嗪环包含第一氮原子和第二氮原子，所述第二吡嗪环包含第一氮原子和第二氮原子，

与所述第一吡嗪环上的所述第一氮原子和所述第二吡嗪环上的所述第一氮原子配位的过渡金属，和

与所述过渡金属配位的第一EUV可裂解配体和第二EUV可裂解配体；和

将所述光致抗蚀剂层的一部分暴露于EUV辐射以：

使所述第一EUV可裂解配体和所述第二EUV可裂解配体从所述过渡金属裂解，和

活化所述第一吡嗪环上的所述第二氮原子和所述第二吡嗪环上的所述第二氮原子。