[发明专利]互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置在审
| 申请号： | 202110506209.5 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN113193866A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 柳凡善;林奎昊;姜汰竟 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;张川绪 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种CMOS反相器电路装置。所述CMOS反相器电路装置包括：延迟电路单元，被配置为在输入信号在高电平和低电平之间转换时分别生成PMOS晶体管和NMOS晶体管的各自栅极节点的不同的充电路径和放电路径。因此，本示例最小化或去除在输入信号转换时的短路电流的产生。示例可简化电路结构，并且可使CMOS反相器电路装置的尺寸更小。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 反相器 电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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