[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110483658.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN115274445A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 任烨;卜伟海;武咏琴 | 申请（专利权）人： | 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层，沿沟道结构的延伸方向上，沟道结构包括沟道区，其中，第二牺牲层的耐刻蚀度小于第一牺牲层的耐刻蚀度；刻蚀去除沟道区的牺牲层；刻蚀去除沟道区的牺牲层后，在沟道区中，形成栅极结构，包括环绕覆盖沟道层的栅介质层，以及位于栅介质层上的栅电极层。刻蚀去除牺牲层的过程中，第二牺牲层易于被先去除，露出第一牺牲层在水平方向的表面，增大第一牺牲层与刻蚀介质的接触面积，有利于加快第一牺牲层的被刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
