[发明专利]具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110477496.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113224148B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;莫家宁;王彤阳;叶俊;肖璇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 阻挡 sgt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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