[发明专利]半导体处理装置及半导体处理方法在审
| 申请号： | 202110473834.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113206027A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴凯文;黄正义;陈俊达;谢锦升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体处理装置及半导体处理方法，半导体处理装置包括加热器以及加热器升降总成，加热器被配置成加热位于加热器的晶片承载区域上的晶片，加热器包括在晶片承载区域下面延伸的加热器轴，加热器升降总成包括升降轴、夹具及阻尼器，升降轴被配置成在垂直方向上移动加热器轴，夹具将加热器轴连接到升降轴，阻尼器设置在夹具顶部上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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