[发明专利]包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统在审

专利信息
申请号: 202110472307.1 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113594168A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: D·A·克朗皮特;R·W·林赛;J·D·鲁尼亚;M·霍兰;C·N·查蒙达 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王艳娇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、所述堆叠结构内的低洼结构以及导电触点结构。所述堆叠结构包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。所述层中的每一个包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述低洼结构包括:正向阶梯结构,其具有包括所述层的边缘的台阶;以及反向阶梯结构,其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外边缘的额外台阶。所述导电触点结构在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶处竖直延伸到所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些的上部竖直边界,且各自与所述导电结构中的一个成一体式且连续。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
搜索关键词: 包含 低洼 结构 微电子 装置 以及 相关 方法 存储器 电子 系统
【主权项】:
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