[发明专利]包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列，所述层中的每一个包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个；

低洼结构，其在所述堆叠结构内且包括：

正向阶梯结构，其具有包括所述层的边缘的台阶；以及

反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外边缘的额外台阶；以及

导电触点结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶处竖直延伸到所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些的上部竖直边界，所述导电触点结构各自与所述导电结构中的一个成一体式且连续。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电触点结构包括：

第一导电触点结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一些成一体式且连续，所述第一导电触点结构中的每一个个别地具有与所述台阶中的一个的水平边界大体上共面的水平边界；以及

第二导电触点结构，其在所述反向阶梯结构的所述额外台阶处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一些其它导电结构成一体式且连续，所述第一导电触点结构中的每一个个别地具有与所述额外台阶中的一个的水平边界大体上共面的水平边界。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电触点结构中的一或多个的水平宽度大体上等于与所述导电触点结构中的所述一或多个成一体式且连续的所述导电结构中的一或多个的竖直高度。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶上的电介质间隔物结构，所述电介质间隔物结构与所述导电触点结构水平地交替。

5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述电介质间隔物结构包括：

第一电介质间隔物结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶上且个别地水平插入于所述导电触点结构的水平相邻对之间；以及

第二电介质间隔物结构，其在所述反向阶梯结构的所述额外台阶上且个别地水平插入于所述导电触点结构的额外水平相邻对之间。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个的上部竖直边界从所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个的上部竖直边界竖直地偏移。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶的上部表面从与其竖直最接近的所述反向阶梯结构的所述额外台阶的上部表面竖直地偏移一个距离，所述距离大体上等于所述堆叠结构的所述层中的一个的竖直高度。

8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述低洼结构进一步包括水平地插入于所述正向阶梯结构与所述反向阶梯结构之间的中心区，所述中心区具有从所述正向阶梯结构的底部和所述反向阶梯结构的底部且在所述两个底部之间水平延伸的部分非平面下部竖直边界。

9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中：

所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的一对所述层的水平末端；且

所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的额外对所述层的水平末端。

10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中：

所述正向阶梯结构的所述台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的所述层中的至少四个的群组的水平末端；且

所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的每一个个别地包括所述堆叠结构的所述层中的至少四个的额外群组的水平末端。

11.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述正向阶梯结构的所述台阶中的至少一些的上部竖直边界与所述反向阶梯结构的所述额外台阶中的至少一些的上部竖直边界大体上共面。