[发明专利]半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110469981.4 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN115249655A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 白杰;尤康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王欢;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决目前的DRAM器件的制作方法对SiGe层损伤较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底；在基底上形成掩膜层；去除非阵列区上的掩膜层；在非阵列区上形成第一氧化层；去除第一晶体管区上的第一氧化层，以暴露出位于第一晶体管区的顶表面；在暴露出的第一晶体管区的顶表面上形成外延层；去除第二晶体管区上的第一氧化层；在第二晶体管区上，以及外延层上均形成第二氧化层。本发明能够降低半导体结构的制作方法对外延层的损伤，提高了半导体结构的存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
