[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本文公开了用于多栅极器件的自对准栅极切割技术，其提供了具有不对称金属栅极轮廓和不对称源极/漏极部件轮廓的多栅极器件。示例性多栅极器件具有沟道层、包裹沟道层的部分的金属栅极和设置在衬底上方的源极/漏极部件。沟道层沿第一方向在源极/漏极部件之间延伸。第一介电鳍和第二介电鳍设置在衬底上方并且配置不同。沟道层沿第二方向在第一介电鳍和第二介电鳍之间延伸。金属栅极设置在沟道层和第二介电鳍之间。在一些实施例中，第一介电鳍设置在第一隔离部件上，并且第二介电鳍设置在第二隔离部件上。第一隔离部件和第二隔离部件配置不同。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。