[发明专利]氮化物半导体装置在审
| 申请号： | 202110457837.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745321A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 阿久津稔 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低源极电极及漏极电极相对于二维电子气的欧姆接触电阻的氮化物半导体装置。氮化物半导体装置(1)包含：第1氮化物半导体层(4)，构成电子移行层；第2氮化物半导体层(5)，形成在第1氮化物半导体层(4)上，且构成电子供给层；蚀刻终止层(6)，形成在第2氮化物半导体层(5)上，且由带隙比第2氮化物半导体层大的氮化物半导体构成；栅极部(20)，形成在蚀刻终止层(6)上；以及源极电极(11)及漏极电极(12)，隔着栅极部而对向配置在蚀刻终止层上。源极电极(11)及漏极电极(12)的下端部在厚度方向上贯通蚀刻终止层(6)，而进入第2氮化物半导体层(5)的厚度中间部。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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