[发明专利]一种调控半导体腐蚀区域的方法有效
| 申请号： | 202110457710.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113299551B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 胡正光;王立;赵勇;王震东;王仲平;王剑宇;刘峰良 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 半导体 腐蚀 区域 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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