[发明专利]一种调控半导体腐蚀区域的方法有效
| 申请号： | 202110457710.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113299551B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 胡正光;王立;赵勇;王震东;王仲平;王剑宇;刘峰良 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调控 半导体 腐蚀 区域 方法 | ||
1.一种调控半导体腐蚀区域的方法，所述方法应用于纳米半导体材料制备过程，包括如下步骤：
(1)将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；
(2)将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；
(3)将半导体衬底浸入所述步骤(1)得到的沉积液中进行沉积；
(4)对所述步骤(3)沉积后得到的衬底进行处理，以得到表面湿润状态不同的衬底；
(5)将所述步骤(4)得到的衬底浸入所述步骤(2)得到的腐蚀液中进行腐蚀，得到纳米半导体材料；
所述步骤(1)和步骤(2)没有先后顺序。
2.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(1)中氢氟酸的浓度为1～5mol/L。
3.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(1)金属盐溶液中的金属元素包括金、银和铂中的一种；所述金属盐溶液的浓度为0.005～0.2mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(1)氢氟酸中的氟化氢和金属盐溶液中金属盐的物质的量之比为225：(0.02～4)。
5.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(2)中氧化剂包括过氧化氢溶液、铁盐溶液和氧气中的一种。
6.根据权利要求5所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述过氧化氢溶液的浓度和铁盐溶液中铁离子的浓度独立地为5～10mol/L。
7.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(2)中氢氟酸的浓度为0.25～5mol/L。
8.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(3)中半导体衬底包括硅、锗、碳化硅、砷化镓和氮化镓中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种调控半导体腐蚀区域的方法，其特征在于，所述步骤(3)中沉积的时间为1～30min。
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