[发明专利]半导体结构和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110449422.7 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113571471A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王志庆;苏佳莹;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括形成半导体器件的方法。方法包括提供衬底，衬底具有设置在衬底上方的多个第一半导体层和多个第二半导体层。方法也包括：图案化第一半导体层和第二半导体层以形成第一鳍和第二鳍；从第一鳍和第二鳍去除第一半导体层，从而使得图案化的第二半导体层的第一部分成为第一鳍中的第一悬浮纳米结构，并且使得图案化的第二半导体层的第二部分成为第二鳍中的第二悬浮纳米结构；以及将阈值修改杂质掺杂至第一鳍的第一悬浮纳米结构中。杂质使得形成有第一鳍和第二鳍的晶体管具有不同的阈值电压。本申请的实施例还涉及半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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