[发明专利]LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110447400.7 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113224165B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，器件包括：衬底，其中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；栅氧，其形成于第一掺杂区和第二掺杂区上；栅极，其形成于栅氧上；第一介质层，其形成于衬底、栅氧和栅极表面，第一介质层中形成有金属场板、第一接触通孔和第二接触通孔，金属场板位于第二掺杂区上方，第一接触通孔的底端与第一掺杂区连接，第二接触通孔的底端与第二掺杂区连接；第二介质层，其形成于第一介质层上方，第二介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和金属阻挡层，第一金属连线的底部与第一接触通孔的顶端和金属场板的顶端连接，第二金属连线的底部与第二接触通孔的顶端连接，第一金属连线和第二金属连线之间通过金属阻挡层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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