[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区中掺杂的离子类型不同；

栅氧，所述栅氧形成于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上，所述栅氧的底部与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有交叠区域且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成接触面；

栅极，所述栅极形成于所述栅氧上；

第一介质层，所述第一介质层形成于所述衬底、所述栅氧和所述栅极表面，所述第一介质层中形成有金属场板、第一接触通孔和第二接触通孔，所述金属场板与所述栅极不相连，所述金属场板形成于所述栅极的一侧且位于所述第二掺杂区上方，所述第一接触通孔的底端与所述第一掺杂区连接，所述第二接触通孔的底端与所述第二掺杂区连接；

第二介质层，所述第二介质层形成于所述第一介质层上方，所述第二介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和金属阻挡层，所述第一金属连线的底部与所述第一接触通孔的顶端和所述金属场板的顶端连接，所述第二金属连线的底部与所述第二接触通孔的顶端连接，所述第一金属连线和所述第二金属连线之间通过所述金属阻挡层电性连接；

其中，所述第一掺杂区为所述器件的体区，所述第二掺杂区为所述器件的漂移区，所述栅氧为所述器件的沟道栅氧；当所述第一掺杂区掺杂的离子包括P型离子时，所述第二掺杂区掺杂的离子包括N型离子；当所述第二掺杂区掺杂的离子包括P型离子时，所述第一掺杂区掺杂的离子包括N型离子。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述金属场板的构成材料包括铜。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一金属连线和所述第二金属连线的构成材料包括铜。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述金属阻挡层的构成材料包括铜。

5.根据权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的构成材料包括二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一接触通孔和所述第二接触通孔的构成材料包括铜。

7.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底中依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，形成第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一次离子注入和第二次离子注入中注入的离子类型不同；

在所述衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上形成多晶硅层；

对氧化层和多晶硅层进行刻蚀，剩余的氧化层形成栅氧，剩余的多晶硅层形成栅极，所述栅氧的底部与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有交叠区域且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成接触面；

在所述衬底、所述栅氧和所述栅极表面形成第一介质层，在所述第一介质层中形成金属场板，所述金属场板与所述栅极不相连，所述金属场板形成于所述栅极的一侧且位于所述第二掺杂区上方；

在所述第一介质层形成第一接触通孔和第二接触通孔，所述第一接触通孔的底端与所述第一掺杂区连接，所述第二接触通孔的底端与所述第二掺杂区连接；

在所述第一介质层上依次形成金属阻挡层和第二介质层；

在所述第二介质层中形成第一金属连线和第二金属连线，所述第一金属连线的底部与所述第一接触通孔的顶端和所述金属场板的顶端连接，所述第二金属连线的底部与所述第二接触通孔的顶端连接，所述第一金属连线和所述第二金属连线之间通过所述金属阻挡层电性连接；

其中，所述第一掺杂区为所述器件的体区，所述第二掺杂区为所述器件的漂移区，所述栅氧为所述器件的沟道栅氧；当所述第一掺杂区掺杂的离子包括P型离子时，所述第二掺杂区掺杂的离子包括N型离子；当所述第二掺杂区掺杂的离子包括P型离子时，所述第一掺杂区掺杂的离子包括N型离子。