[发明专利]存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110441908.6 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN114141862A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L27/108;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种高度集成的存储器件及其制造方法。根据本公开，一种存储器件包括：下部结构；有源层，其平行于下部结构的表面水平地取向；位线，其连接至有源层的第一端并相对于下部结构的表面竖直地取向；电容器，其连接至有源层的第二端；字线，其沿着有源层的侧表面水平地取向而平行于有源层；以及鳍式沟道层，其从所述有源层的一个侧表面开始水平地延伸，其中，字线包括覆盖鳍式沟道层的突出部。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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