[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

下部结构；

有源层，其平行于所述下部结构的表面而水平地取向；

位线，其连接至所述有源层的第一端并相对于所述下部结构的表面竖直地取向；

电容器，其连接至所述有源层的第二端；

字线，其沿着所述有源层的侧表面水平地取向而平行于所述有源层；和

鳍式沟道层，其从所述有源层的一个侧表面开始水平地延伸，其中，所述字线包括覆盖所述鳍式沟道层的突出部。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述有源层、所述鳍式沟道层和所述字线位于相同的水平处。

3.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

位线接触节点，其形状为筒状，并位于所述位线与所述有源层的所述第一端之间；和

阻挡层，其在所述位线与所述位线接触节点之间，其中所述阻挡层延伸到所述位线接触节点的所述筒体的内部。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述电容器包括：

储存节点，其形状为筒状并连接至所述有源层的所述第二端；

电介质层，其在所述储存节点上；和

极板，其在所述电介质层上，其中，所述极板沿着所述位线取向的方向竖直地延伸。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述储存节点具有弯曲的形状，所述弯曲的形状部分地覆盖所述极板的外壁。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述有源层和所述储存节点位于相同的水平处。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述字线具有至少一个阶梯式端部。

8.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：栅极绝缘层，其在所述字线与所述鳍式沟道层之间。

9.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

第一支撑件，其支撑所述位线和所述有源层；和

第二支撑件，其支撑所述有源层和所述电容器。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一支撑件和所述第二支撑件沿着所述位线的取向方向竖直地取向。

11.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一支撑件和所述第二支撑件包括绝缘材料。

12.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一支撑件部分地围绕所述位线，并且所述第二支撑件部分地围绕所述电容器。

13.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一支撑件和所述第二支撑件均包括与所述有源层连接的弯曲边缘。

14.一种存储器件，包括：

有源层，其沿第一方向竖直地层叠并且沿与所述第一方向交叉的第二方向水平地取向；

字线，其沿着所述有源层的各个侧表面沿所述第二方向水平地取向而分别平行于所述有源层；

有源主体，其沿所述第一方向竖直地取向并共同连接至所述有源层；

位线，其连接至所述有源层的第一端并竖直地取向；

电容器，其连接至每个所述有源层的第二端；和

鳍式沟道层，其从每个所述有源层的侧表面开始沿第三方向水平地延伸，其中，每个所述字线都包括覆盖每个所述鳍式沟道层的突出部。

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述有源层、所述鳍式沟道层和所述字线位于相同的水平处。