[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110441724.X | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113571582A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 尹相俊;权义熙;金星男;安孝信 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供具有金属栅极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件及其制造方法，其中在MOSFET器件中，该金属栅极结构的功函数沿着沟道的长度方向是均匀的。该MOSFET器件包括：半导体基板；有源区，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及在半导体基板上的栅极结构。栅极结构在与第一方向相交的第二方向上跨过有源区延伸，并包括依次堆叠在有源区上的高k层、第一金属层、功函数控制(WFC)层和第二金属层。WFC层的下表面可以在第一方向上比在第一金属层的下表面和高k层的上表面之间的第一界面长。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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