[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：制备包括沟道结构、栅极间隙结构和阶梯结构的中间体；提供第一衬底，将第一衬底的第一面与中间体的形成有沟道结构、栅极间隙结构和阶梯结构的正面结合；以及在第一衬底的与第一面相对的第二面上形成外围电路。根据该制备方法，可有效避免外围电路的电性能由于上述正面形成工艺的热影响而降低，使得结合后的存储器件和外围电路芯片能够共同对抗三维存储器内各膜层所产生的应力，同时简化了制备三维存储器的工艺过程和制备周期，在三维存储器的堆叠层数的增加的情况下，不更换机台也可实现相应的制备制程。