[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110420674.7 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN115224116A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;马丽莎 | 申请（专利权）人： | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有多晶硅栅极层，包括底部栅极层、以及凸立于底部栅极层上的多个顶部栅极层，相邻的顶部栅极层和底部栅极层围成第一凹槽；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁并填充于第一凹槽中；形成贯穿底部栅极层顶部的层间介质层的第二凹槽，并露出底部栅极层；在第二凹槽中形成电连接底部栅极层的金属栅极层，多晶硅栅极层与金属栅极层共同作为第一栅极结构，且金属栅极层用于作为第一栅极结构的外接端子。本发明避免了形成金属硅化物的制程对第一栅极结构侧部的层间介质层的损伤，从而降低了不同区域基底上的层间介质层产生高度差的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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