[发明专利]一种二极管芯片结构及制作方法有效
| 申请号： | 202110416015.6 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257674B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李学会;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅;魏炜 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 蓝航伶;曾柳燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二极管芯片制作方法。该方法通过在衬底上形成有至少一层外延层；在外延层上制成有沟槽区域；通过第一工艺条件进行离子注入与扩散，以分别在沟槽区域内形成对应于横向PN结的第一阱区、在外延层上形成对应于纵向PN结的第二阱区及若干用于终端环区的第三阱区；通过不同工艺条件进行多次离子注入与扩散，以分别三个阱区内纵向形成不同浓度的掺杂区；开展后续工艺以完成二极管芯片的制作。本发明还公开了一种二极管芯片结构。此技术工艺简单且制作的二极管芯片结构体积更小，慢恢复特性更好，并能在反激式变换器中大幅减小与其电连接的MOS管截止瞬间的过冲电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳基本半导体有限公司，未经深圳基本半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110416015.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
