[发明专利]具有埋层结构的高压半导体装置有效
| 申请号： | 202110409628.7 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113745311B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 莫尼卡·巴提;韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有埋层结构的高压半导体装置，包括半导体衬底、深井、第一和第二井区、栅极、第一和第二顶掺杂区以及埋层结构。半导体衬底、第一和第二井区以及第一和第二顶掺杂区具有第一导电形态。深井位于半导体衬底上，第一和第二井区自深井的顶面向下延伸。栅极位于深井的顶面上。第一和第二顶掺杂区分别位于第一和第二井区中。埋层结构具有第二导电形态并位于深井与半导体衬底的表面处。埋层结构包含第一埋层，为一连续埋层并对应于第一井区设置，且第一埋层自高压区域连续延伸至电位转换区域；以及第二埋层对应第二井区，第二埋层包含多个埋置部相距设置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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