[发明专利]具有埋层结构的高压半导体装置

权利要求书

1.一种具有埋层结构的高压半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，具有一第一导电形态；

一深井，位于所述半导体衬底上，所述深井具有不同于所述第一导电形态的一第二导电形态；

一第一井区和一第二井区，彼此相距的设置于所述深井中，且所述第一井区和所述第二井区自所述深井的顶面向下延伸，其中所述第一井区和所述第二井区具有所述第一导电形态；

一栅极，位于所述深井的所述顶面上，且所述第一井区和所述第二井区分别与所述栅极的底面部分重叠；

一第一顶掺杂区和一第二顶掺杂区，分别位于所述第一井区和所述第二井区中，且所述第一顶掺杂区和所述第二顶掺杂区具有所述第一导电形态；以及

一埋层结构，位于所述深井与所述半导体衬底的表面处，所述埋层结构包含：

一第一埋层，具有所述第二导电形态，所述第一埋层为一连续埋层并对应于所述第一井区设置，其中所述第一埋层自所述高压半导体装置的一高压区域连续的延伸至一电位转换区域；以及

一第二埋层，具有所述第二导电形态，所述第二埋层包含多个彼此相距设置的埋置部，且所述多个埋置部对应于所述第二井区，其中所述第二埋层位于所述电位转换区域。

2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二井区具有第一侧壁和相对于所述第一侧壁的第二侧壁，且所述第一侧壁更接近于所述第一井区，所述第一埋层邻近所述第二埋层的一侧缘位于所述第二井区的所述第一侧壁的下方。

3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二井区具有第一侧壁和相对于所述第一侧壁的第二侧壁，且所述第一侧壁更接近于所述第一井区，所述第一埋层邻近所述第二埋层的一侧缘超过所述第二井区的所述第一侧壁的下方，但不超过所述栅极的侧壁的下方。

4.如权利要求2所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二顶掺杂区具有第三侧壁和相对于所述第三侧壁的第四侧壁，且所述第三侧壁更接近于所述第一井区，所述多个埋置部中最远离所述第一埋层的埋置部不超过所述第三侧壁的下方。

5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二埋层的所述多个埋置部等距的分布于所述深井与所述半导体衬底的表面处。

6.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二埋层的所述多个埋置部在第一方向上具有相同宽度。

7.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述多个埋置部包含最接近所述第一埋层的第一埋置部，所述第一埋置部与所述第一埋层相距的距离相等于两相邻的所述多个埋置部之间的间距。

8.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第一埋层在第二方向上具有第一高度，所述第二埋层的所述多个埋置部在所述第二方向上具有第二高度，所述第一高度与所述第二高度相等。

9.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二埋层的所述多个埋置部在第一方向上彼此相隔一间距，所述多个埋置部在第一方向上各具有一宽度，所述宽度等于所述间距。

10.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二埋层包含3个或3个以上的所述多个埋置部，其中所述多个埋置部在第二方向上具有相同高度。

11.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第一埋层和所述第二埋层的掺杂浓度高于所述深井的掺杂浓度，也高于所述第一井区和所述第二井区的掺杂浓度。

12.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第一井区和所述第二井区位于所述电位转换区域中，且分别为所述电位转换区域的一电位转换单元的第一漂移区和第二漂移区，其中所述第二埋层的所述多个埋置部位于所述第二漂移区在所述半导体衬底的垂直投影内。