[发明专利]集成芯片和形成集成芯片的方法在审

专利信息
申请号: 202110399545.4 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113206061A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 薛琇文;陈启平;黄柏翔;曾雅晴 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括设置在衬底上方的层间介电(ILD)结构内的第一互连件。势垒层沿着所述ILD结构的侧壁设置。该势垒层具有在所述第一互连件上方限定开口的侧壁。第二互连件设置在该势垒层上。所述第二互连件延伸穿过该势垒层中的开口且至第一互连件。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
搜索关键词: 集成 芯片 形成 方法
【主权项】:
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