[发明专利]一种碳化硅欧姆接触及其制备方法在审
| 申请号： | 202110388444.7 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN115206789A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 薛梦谦;许恒宇;万彩萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 程虹 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中碳化硅欧姆接触的金属或者合金层存在可重复性差、抗氧化能力弱、表面质量差等问题。本发明的方法在碳化硅衬底上形成碳化硅掺杂层；在碳化硅掺杂层表面通过磁控溅射或蒸发的方式依次沉积镍层、铝层和钛层，得到待处理碳化硅欧姆接触；对待处理碳化硅欧姆接触依次进行阶梯式的两次退火处理，得到碳化硅欧姆接触。本发明的碳化硅欧姆接触及其制备方法可用于碳化硅器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 欧姆 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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