[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110384349.X | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206885A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李森;夏军;宛强;徐朋辉;刘涛;占康澍 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在衬底上形成第一导电层和牺牲膜层；蚀刻牺牲膜层，以形成多个第一电容孔，各第一电容孔均露出第一导电层；在各第一电容孔内分别形成导电柱；去除牺牲膜层；以各导电柱为掩膜对第一导电层进行蚀刻，以形成多个导电接触塞；形成覆盖各导电接触塞及各导电柱的绝缘介质层；以各导电柱为蚀刻停止层蚀刻绝缘介质层，以形成多个第二电容孔；在垂直于衬底的方向上，各第二电容孔与各导电柱一一对应分布，并沿导电柱的轴向延伸；在各第二电容孔内填充导电材料，导电材料与导电柱构成柱状电容的下电极层。本申请的制造方法可防止电容失效，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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