[发明专利]沟槽MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202110381679.3 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113206148B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;孙鹤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种沟槽MOSFET及其制造方法，所述沟槽MOSFET包括：第一掺杂类型的半导体基底；从所述半导体基底的上表面延伸至其内部的沟槽；位于所述沟槽内部的第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层位于所述沟槽的下部侧壁和底部，且将所述屏蔽导体和所述半导体基底隔开；位于所述沟槽上部的栅极导体和栅介质层，所述栅介质层位于所述沟槽的上部侧壁，且将所述栅极导体和所述半导体基底隔开；以及与所述栅极导体连接的栅极导电通道；其中，与所述栅极导电通道连接的所述栅极导体的位置的厚度满足通孔的工艺需求，不会被穿通，很大程度的避免栅极与屏蔽导体短路的问题，提高了MOSFET的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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